나노미터 크기 양자점 반도체 성능 저하 새 원인 밝혔다

나노미터 크기 양자점 반도체 성능 저하 새 원인 밝혔다

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기초과학연구원은 분자 분광학·동력학 연구단 조민행 단장 연구팀이 시분해 분광법을 이용해 양자점 반도체의 성능을 떨어뜨리는 새로운 원인을 찾아냈다고 3일 밝혔다.

양자점 기술의 핵심은 외부 에너지를 받아 들뜬 전자가 어떤 경로를 거쳐 정공과 다시 결합하는지에 달려 있다.

들뜬 전자가 빛 방출 없이 정공과 빠르게 결합하는 '오제현상'은 양자점의 발광 효율을 떨어뜨리는 주요 원인으로, 양자점 응용을 위해 해결해야 할 과제로 꼽힌다.